RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1393
3318
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link