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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
総合得点
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
43
周辺 -39% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
11
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
31
読み出し速度、GB/s
11.0
15.7
書き込み速度、GB/秒
7.2
13.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1393
3318
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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