RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link