RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3460
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link