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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.9
17.9
写入速度,GB/s
8.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
3460
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
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