RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
73
84
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
84
73
Velocidad de lectura, GB/s
5.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
1724
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link