RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
84
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
84
73
Скорость чтения, Гб/сек
5.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
3.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
1724
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link