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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
3650
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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