RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
19.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3650
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link