RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link