RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
19.9
Скорость записи, Гб/сек
8.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
3680
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link