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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
15.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
3680
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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