RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3680
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link