RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2665
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3020EF48E8W1333 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link