RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2561
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link