RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
12.3
16.6
写入速度,GB/s
8.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2561
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
报告一个错误
×
Bug description
Source link