RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
54
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
54
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2264
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link