RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2271
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link