RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2981
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link