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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
3310
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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