RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
56
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link