RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2987
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link