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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
3110
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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