RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2483
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link