RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2483
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link