RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3879
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link