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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
45
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
45
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3233
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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