RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
45
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
45
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3233
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link