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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
4170
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
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Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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