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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
49
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1223
1836
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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