RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
86
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
86
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
1220
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link