RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
86
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
86
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
1220
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link