RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
48
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2196
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link