Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Puntuación global
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    55 left arrow 75
    En 27% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    1,672.1 left arrow 1,608.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    4200 left arrow 3200
    En 1.31 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    55 left arrow 75
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,189.0 left arrow 1,943.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,608.0 left arrow 1,672.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    3200 left arrow 4200
Other
  • Descripción
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    501 left arrow 301
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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