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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
55
75
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
1,608.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
4200
3200
Rund um 1.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
55
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,189.0
1,943.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,608.0
1,672.1
Speicherbandbreite, mbps
3200
4200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
4-4-4-12 / 533 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
501
301
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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