Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Gesamtnote
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    55 left arrow 75
    Rund um 27% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 1
    Durchschnittswert bei den Tests
Kingston KVR533D2N4 512MB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,672.1 left arrow 1,608.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    4200 left arrow 3200
    Rund um 1.31 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    55 left arrow 75
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,189.0 left arrow 1,943.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,608.0 left arrow 1,672.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    3200 left arrow 4200
Other
  • Beschreibung
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    501 left arrow 301
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