Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB против Kingston KVR533D2N4 512MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    55 left arrow 75
    Около 27% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,672.1 left arrow 1,608.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    4200 left arrow 3200
    Около 1.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    55 left arrow 75
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,189.0 left arrow 1,943.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,608.0 left arrow 1,672.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 4200
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    501 left arrow 301
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения