Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB против Kingston KVR533D2N4 512MB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

55 75

Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 1

Среднее значение в тестах

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

1,672.1 1,608.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

4200 3200

Около 1.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

55 75
Скорость чтения, Гб/сек

3,189.0 1,943.5
Скорость записи, Гб/сек

1,608.0 1,672.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 4200

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 4-4-4-12 / 533 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

501 301

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB

Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

модули RAM