Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    55 left arrow 75
    Autour de 27% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    1,672.1 left arrow 1,608.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    4200 left arrow 3200
    Autour de 1.31 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    55 left arrow 75
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,189.0 left arrow 1,943.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,608.0 left arrow 1,672.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    3200 left arrow 4200
Other
  • Description
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    501 left arrow 301
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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