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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Note globale
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
55
56
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
1,608.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
55
56
Vitesse de lecture, GB/s
3,189.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,608.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
501
2761
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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