Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

总分
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    55 left arrow 56
    左右 2% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 16.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.7 left arrow 1,608.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 3200
    左右 8 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    55 left arrow 56
  • 读取速度,GB/s
    3,189.0 left arrow 16.4
  • 写入速度,GB/s
    1,608.0 left arrow 13.7
  • 内存带宽,mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    501 left arrow 2761
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