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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

総合得点
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    55 left arrow 56
    周辺 2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.4
    テスト平均値
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 1,608.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 3200
    周辺 8 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    55 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    3,189.0 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,608.0 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    501 left arrow 2761

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