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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
総合得点
Kingston KVR533D2N4 512MB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
55
75
周辺 27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
1
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KVR533D2N4 512MB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
1,672.1
1,608.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
4200
3200
周辺 1.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
55
75
読み出し速度、GB/s
3,189.0
1,943.5
書き込み速度、GB/秒
1,608.0
1,672.1
メモリ帯域幅、mbps
3200
4200
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
4-4-4-12 / 533 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
501
301
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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