Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

総合得点
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    55 left arrow 75
    周辺 27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,672.1 left arrow 1,608.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 3200
    周辺 1.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    55 left arrow 75
  • 読み出し速度、GB/s
    3,189.0 left arrow 1,943.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,608.0 left arrow 1,672.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 4200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    501 left arrow 301
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