Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

总分
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    55 left arrow 75
    左右 27% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    1,672.1 left arrow 1,608.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    4200 left arrow 3200
    左右 1.31 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    55 left arrow 75
  • 读取速度,GB/s
    3,189.0 left arrow 1,943.5
  • 写入速度,GB/s
    1,608.0 left arrow 1,672.1
  • 内存带宽,mbps
    3200 left arrow 4200
Other
  • 描述
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    501 left arrow 301
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