Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

审查RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB, 规格、基准

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB 记忆模块回顾. 主要技术特点和PassMark的基准性能评估. 我们建议研究所有数据,并与竞争模式进行比较。

规格

完整的技术规格清单
特点
  • Type
    DDR2
  • 命名
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3
  • 特征
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 内存带宽
    3200 mbps
  • 时序/时钟速度

    * 检查制造商的网站

    3-3-3-12 / 400 MHz
性能由PassMark提供
  • 延迟
    55 ns
  • 阅读速度
    3,189.0 GB/s
  • 写入速度
    1,608.0 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

CAS延迟衡量的是,从提出读取数据的请求到获得这些信息所经过的时钟周期的数量。

性能测试

真实的测试 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
读取非缓存传输速度
无缓存的平均内存读取时间
给RAM评分
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