Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
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Recensione RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB, specifiche, parametri di riferimento

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB recensione del modulo di memoria. Principali caratteristiche tecniche e valutazione delle prestazioni del benchmark di PassMark. Suggeriamo di studiare tutti i dati e di confrontarli con il modello della concorrenza.

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Caratteristiche
  • Type
    DDR2
  • Nome
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3
  • Caratteristiche
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Larghezza di banda della memoria
    3200 mbps
  • Temporizzazioni / Velocità di clock

    * Controllare il sito web del produttore

    3-3-3-12 / 400 MHz
Prestazioni di PassMark
  • Latenza
    55 ns
  • Velocità di lettura
    3,189.0 GB/s
  • Velocità di scrittura
    1,608.0 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

La latenza CAS misura il numero di cicli di clock che intercorrono tra la richiesta di lettura dei dati e la disponibilità di tali informazioni.

Test di prestazione

Test reali Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Velocità di trasferimento in lettura senza cache
Tempo medio di lettura della memoria senza cache
Velocità di trasferimento in scrittura
Velocità media di scrittura
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