Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Select RAM 2
Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Przegląd RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB, specyfikacje, wzorce

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB przegląd modułów pamięci. Główne parametry techniczne i ocena wydajności w benchmarku PassMark. Sugerujemy przeanalizowanie wszystkich danych i porównanie ich z modelem konkurencyjnym.

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Cechy
  • Type
    DDR2
  • Nazwa
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3
  • Charakterystyka
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Szerokość pasma pamięci
    3200 mbps
  • Taktowanie / szybkość zegara

    * check the manufacturer's website

    3-3-3-12 / 400 MHz
Wyniki według PassMark
  • Opóźnienie
    55 ns
  • Szybkość czytania
    3,189.0 GB/s
  • Prędkość zapisu
    1,608.0 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

Opóźnienie CAS mierzy liczbę cykli zegara, które upływają od momentu zgłoszenia żądania odczytu danych do momentu, gdy takie informacje są dostępne.

Badania eksploatacyjne

Testy rzeczywiste Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Prędkość transferu odczytu bez buforowania
Średni czas odczytu z pamięci bez buforowania
Prędkość przesyłu zapisu
Średnia szybkość zapisu
Oceń pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB