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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
55
75
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,672.1
1,608.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
4200
3200
Por volta de 1.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
55
75
Velocidade de leitura, GB/s
3,189.0
1,943.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,608.0
1,672.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
4200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
4-4-4-12 / 533 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
501
301
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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