Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB

Pontuação geral
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    55 left arrow 75
    Por volta de 27% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    1,672.1 left arrow 1,608.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    4200 left arrow 3200
    Por volta de 1.31 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    55 left arrow 75
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,189.0 left arrow 1,943.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,608.0 left arrow 1,672.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow 4200
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    501 left arrow 301
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