RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
45
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2423
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link