RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
45
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2423
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link