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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
55
56
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,608.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512R72P4-E3 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,189.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,608.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
501
2761
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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