RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
71
Autour de -78% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
40
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2362
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link